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英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3

3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產品型號:FZ1500R33HE3
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-01-19
  • 訪  問  量:4003
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詳細介紹

IHM-B module with fast Trench/Field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

VCES= 3300V ,IC nom= 1500A / ICRM= 3000A

產品特點: 高直流穩(wěn)定;高短路能力;自我限制短路電流;低開關損耗;的魯棒性;T(vj op)= 150°C;用正溫度系數(shù)低V(cesat);AlSiC底板增加熱循環(huán)能力;包與CTI > 400;孤立的基板

 

FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C
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