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4500V三菱IGBT模塊CM900HG-90H

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

  • 產品型號:CM900HG-90H
  • 廠商性質:經銷商
  • 更新時間:2024-01-19
  • 訪  問  量:4830
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北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售4500V三菱IGBT模塊CM900HG-90H

IC..................................................................900 A
● VCES ...................................................... 4500 V
● High Insulated Type
● 1-element in a Pack
● AISiC Baseplate

CM600HG-90H

CM400HA-28H 400A/1400V/1U 
CM800HA-50H 800A/2500V/1U
CM600HA-28H 600A/1400V/1U 
CM1200HA-50H 1200A/2500V/1U
CM1000HA-28H 1000A/1400V/1U 
CM800HA-66H 800A/3300V/1U
CM400HA-34H 400A/1700V/1U 
CM1200HA-66H 1200A/3300V/1U
CM800HD-66H 800A/3300V/1U 
CM800HD-50H 800A/2500V/1U
CM1200HD-66H 1200A/3300V/1U 
CM1200HD-50H 1200A/2500V/1U

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